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GR2666S464L19S/4G

Ean : 5908267940983

Goodram GR2666S464L19S/4G memoria 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz

* Non viene rilasciata alcuna garanzia su eventuali errori delle descrizioni tecniche aggiuntive né sull'accuratezza delle foto, da intendersi come un mero servizio informativo
Caratteristiche
Tipo di memoria tampone
Unregistered (unbuffered)
Latenza CAS
Column Address Strobe (CAS) latency, or CL, is the delay time between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular memory column on a RAM module, and the moment the data from the given array location is available on the module's output pins. In general, the lower the CAS latency, the better.
19
RAM installata
A computer's memory which is directly accessible to the CPU.
4 GB
Layout di memoria (moduli x dimensione)
How the overall memory of the product is put together, defined by the number of modules and the size.
1 x 4 GB
Tipo di RAM
The type of internal memory such as RAM, GDDR5.
DDR4
Velocità memoria
The frequency at which the memory (e.g. RAM) runs.
2666 MHz
Componente per
What this product is used as a part of (component for).
Computer portatile
Fattore di forma memoria
Design of the memory e.g. 240-pin DIMM, SO-DIMM.
260-pin SO-DIMM
Data Integrity Check (verifica integrità dati)
ECC è il codice di correzione dell'errore che la memoria è capace di individuare e correggere senza l'intervento dell' utente
No
Canali di memoria
Single-channel
Voltaggio della memoria
The voltage (V) of the memory in the device.
1.2 V
Configurazione moduli
512M x 8
Dati su imballaggio
Tipo di imballo
The type of product package e.g. box.
Blister
Dati logistici
Codice del Sistema Armonizzato (SA)
84733020
Goodram GR2666S464L19S/4G. Componente per: Computer portatile, RAM installata: 4 GB, Layout di memoria (moduli x dimensione): 1 x 4 GB, Tipo di RAM: DDR4, Velocità memoria: 2666 MHz, Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM, Latenza CAS: 19